据台湾媒体报道,3月25日，三星电子宣布新一代内存芯片计划，访问速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而加速数据中心和超级计算机的转型。

作为全球最大内存芯片制造商，三星表示，512GBDDR5内存模块将扩展其现有产品组合，采用HKMG(High-KMetalGate)制程，DDR5的内存速度将是目前DDR4的两倍，同时减少功率泄漏，并减少13%的功耗。

行业资料显示，与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。其它变化还有，电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。三星称，DDR5速度高达7200Mb/s，共有40个DRAM芯片，每个DRAM芯片拥有8层16GbDRAM，这些模块堆栈在一起，采用TSV(Through-Silicon-Via,硅穿孔)技术。

TSV于2015年首次在DRAM中使用，当时三星推出了容量高达256GB的服务器模块。三星预计，将在今年下半年开始向DDR5的过渡。

三星表示，除了与两家主要的CPU供货商英特尔及和AMD(AMD-US)合作，也向数据中心平台的开发者，发送了新内存的样品。

分析师估计，DDR5芯片将比DDR4芯片大20%左右，这将加大半导体供应链的压力。三星打算今年开始出货，并逐步改进其制造工艺及定价。三星认为，预计2023年下半年，DDR5将开始取代DDR4。

TrendForceResearch副总裁AvrilWu表示，随着DDR5的渗透率逐渐提高，预计DRAM的短缺，将在2022年持续存在，价格可能较最初上涨30-40%。